MOS场效应管的分类、结构以及原理

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分，它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。

MOS场效应管的主要特性参数

场效应管的噪声是由内部载流子运动的不规则性引起的。它的存在会使一个放大器即使在没有信号输入时，在输出端也会出现不规则的电压或电流的变化。场效应管的低频噪声系数要比半导体三极管小。

MOS管选型指南：如何选择合适的MOS管？

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